Материал представляет собой графеноподобные слои AlSi из чередующихся атомов алюминия и кремния, сопряженные со слоями Gd (гадолиния), обеспечивающими магнитные свойства системы.
Результаты работы, поддержанной грантом Российского научного фонда (РНФ), опубликованы в высокорейтинговом журнале Small.
Традиционная электроника на основе кремниевой платформы подошла к своему технологическому пределу. Для обеспечения компактности и функциональности элементной базы электроники необходимы новые технологии и материалы. Одним из наиболее перспективных направлений является спиновая электроника, позволяющая добиться значительной энергоэффективности. Поэтому сейчас активно развиваются исследования 2D-магнитов — магнитных систем толщиной в один или несколько атомных слоев. При этом особенно важно, чтобы материал был технологичен и мог интегрироваться с существующей полупроводниковой технологией. Набор материалов с требуемыми функциональными свойствами пока весьма скуден, что делает задачу создания новых 2D-магнитов весьма актуальной.
В Курчатовском институте разработали способ синтеза слоистого GdAlSi. В объемной форме известен GdAlSi со сложной, неслоистой структурой. Но при уменьшении толщины ниже 8 нм удалось стабилизировать слоистый GdAlSi. Интеграция материала с кремниевой платформой была достигнута естественным путем за счет использования подложки кремния в качестве реагента.
"Обычно в химическом синтезе рассматривается зависимость продуктов реакции от внешних условий, таких как температура и давление. Однако результат химической реакции может зависеть и от размерности системы, быть разным для двумерных и трехмерных систем. Возникающая химия низких размерностей дает возможность получать ранее неизвестные вещества. Это то, чем можно и нужно пользоваться при дизайне материалов электроники. Именно такой подход позволил нам синтезировать новый двумерный магнит GdAlSi — технологичный материал с интересными функциональными свойствами", — пояснил руководитель проекта Андрей Токмачёв, ведущий научный сотрудник лаборатории новых элементов наноэлектроники Курчатовского комплекса НБИКС-природоподобных технологий.
Для синтеза материала был разработан оригинальный подход, основанный на стабилизации слоистых структур в 2D-пределе. Метод позволяет контролировать толщину GdAlSi с точностью до монослоя. Благодаря этому удалось получить ультратонкие пленки с толщиной 1, 2, 3, …, 10 монослоев. Оказалось, что свойства материала, прежде всего магнитные, сильно зависят от толщины. Варьируя ее, можно получать материалы с различными функциональными характеристиками. Поэтому разработка открывает широкие перспективы для синтеза целой серии новых материалов наноэлектроники и спинтроники.
Специалисты Всероссийского научно-исследовательского института физико-технических и радиотехнических измерений (ВНИИФТРИ) Росстандарта подготовили партию измерителей мощности СВЧ из новой продуктовой линейки для передачи в демо-пользование заинтересованным пользователям. Приборы по своим характеристикам отвечают всем современным требованиям и благодаря передовым инженерным решениям и широкому спектру применений способны заменить как эксплуатируемые в настоящее время устаревшие образцы приборов, так и недоступные сегодня на рынке аналогичные приборы зарубежного производства.
«Ваттметры – широко используемые приборы, но в России их парк в основном состоит из устаревших моделей. Кроме того, в связи с ограничениями на импорт, сегодня нелегко приобрести приборы с современными характеристиками и полным сервисным обслуживанием. Мы обеспечиваем серийное производство, настройку и гарантийное обслуживание СВЧ-измерителей, так как при их производстве использовались доступные электронные компоненты», – отметил заместитель генерального директора ФГУП «ВНИИФТРИ» по радиотехническим измерениям Иван Малай.
Основу новой линейки составляет измеритель мощности термисторный унифицированный М3-121 и преобразователи термисторные оконечного или проходного типа.
На данный момент для оформления приборов в демо-пользвание, а также для заказа и приобретения доступны три типа измерителей мощности СВЧ: измерители мощности термисторные унифицированные М3-121 (диапазон измерений от 0,01 до 10 мВТ); ваттметры оконечного типа волноводные термисторные М3-122 (диапазон рабочих частот от 16,7 до 37,5 ГГц); ваттметры проходного типа волноводные термисторные М1-37 (диапазон рабочих частот от 16,7 до 37,5 ГГц).
Все приборы прошли испытания на утверждение типа средства измерений и внесены в Государственный реестр средств измерений.
